La gravure assistée par un faisceau ionique focalisé (FIB) est une technique largement utilisée au laboratoire expertise du CNES pour observer des défauts enterrés dans des composants électroniques et pour la préparation d’échantillons microscopiques. Le faisceau d’ions énergétique peut également être utilisé pour déposer localement des métaux tels que le platine et le tungstène, ou encore des matériaux isolants type SiOx. Il devient alors possible de modifier des circuits intégrés en gravant des pistes et des vias métalliques et/ou en créant des nouvelles interconnexions.

Ce stage s’articule autour de l’évaluation de dépôts d’isolant SiOx et de tungstène et propose plusieurs volets : 

- Fabriquer et caractériser différents dépôts d’isolants afin d’extraire leurs performances électriques, et statuer sur leur qualité isolante;

- Elaborer et mettre en œuvre une séquence de tests simples visant à évaluer la tenue dans le temps de ces dépôts isolants et métalliques et/ou soumis à des conditions environnementales extrêmes.

Le/la stagiaire devra :

- Elaborer un plan d’expérience simple pour pouvoir évaluer des dépôts isolants avec différents paramètres de dépôt et dimensions;

- Définir et fabriquer des motifs de test en utilisant les systèmes FIB du laboratoire;

- Caractériser les dépôts pour en extraire leurs caractéristiques électriques;

- Organiser et synthétiser les résultats obtenus dans un rapport technique.

Le/la stagiaire devra être à l'aise avec les techniques de micro-caractérisation. La connaissance des matériaux pour la microélectronique et une précédente expérience sur l’utilisation d’appareils de type MEB et FIB est un plus. Le stage peut débuter à partir d’avril 2025 et durerait 3 mois. Il permettra au stagiaire de développer ses compétences expérimentales et de mobiliser ses connaissances théoriques en science des matériaux.

Le stage pourrait débuter en avril/mai 2025.

Profil BUT, Licence Bac+3 ou Maitrise Bac+4, spécialité physique ou matériaux